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第三代半导体功率实验室

为了推动科研成果向产品转化,先导中心建立了第三代半导体功率器件工艺实验室,此实验室具备完整的功率器件制造产线,包含第三代半导体材料的外延生长、器件制备、器件封装及测试。可进行GaN、SiC材料外延生长工艺实验,GaN器件、SiC器件、先进功率器件的中试工艺实验及器件的测试,同时也可承担高端器件设计、制备、测试以及可靠性评估。同时配备专业的设计,制造,测试团队。

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