西安卫光科技有限公司（国营第八七七厂），前身西安卫光电工厂，1968年建立于陕西商洛山区，1972年建成投产，是隶属于第四机械工业部的三线企业， 1989年搬迁至西安高新技术产业开发区电子工业园电子二路，2007年1月22日，重组为西安卫光科技有限公司。注册资本2100万元，总资产12.2亿元，企业性质为国有独资，隶属于陕西电子信息集团公司，是我国大功率半导体器件重点骨干企业和军用元器件研制、生产定点企业，是我国最早生产半导体器件的主要企业之一。生产的“卫光”牌功率半导体器件已有四十多年的历史。职工总数939人，其中：具有正高级技术职称者3人，高级专业职称者23人，中级专业职称者62人，大专以上学历者545人，陕西省“百人计划”特聘专家1人，享受陕西省“三秦人才津贴”者2人。

西安卫光科技有限公司承担军新品科研、预研等生产任务。70年代公司在国内率先采用三重扩散台面工艺技术，研制和生产低频大功率晶体管，作为国内功率晶体管研制和生产的先驱，独创了具有特色的三重扩散台面技术，产品以二次击穿耐量高、hFE温度变化率小、间歇工作寿命长等三大特点闻名国内，在武器制备配套中处于不可替代的地位。卫光于1984年在国内首家研制成功功率MOS场效应晶体管，是国内军用MOSFET的最大配套单位。（G）3DD159型低频大功率晶体管获国家元器件类唯一银质奖，1000瓦NPN硅低频大功率晶体管荣获1978年全国科学大会奖，卫光牌整流二极管产品在“2002年（首届）中国市场消费商品质量信誉竞争力调查活动”中荣获同行业十佳品牌。卫光多次主持大功率半导体器件部颁标准的起草工作，制订了低频大功率晶体管及电视机用功率晶体管系列标准。曾在2006年荣获西安军民两用技术产业示范企业，西安高新区2008年科技创新奖，2009年度电子信息行业质量工作先进单位等多项荣誉。

公司现有六条生产线：6英寸 0.35µm（MOSFET/IGBT）芯片生产线；4英寸（功率双极型晶体管/TVS）芯片生产线；硅低频大功率晶体管生产线；玻璃钝化封装二极管、硅堆硅桥生产线；功率模块生产线；塑封晶体管生产线。

公司主要产品有功率MOSFET/IGBT晶体管、功率模块、双极型功率晶体管、玻璃钝化封装二极管、金属封装二极管、硅堆、硅桥、TVS瞬态电压抑制二极管等。

产品质量等级包括“普军”、“七筛”、“七专”和“七专加严”以及国军标JP、JT、JCT等。此外，高等级宇航用抗辐照功率MOS场效应晶体管已具备抗总剂量100kRad（Si）、LET≥75MeV·cm2/mg的能力。产品广泛应用于各领域。

公司所有国家部委生产线均通过GJB9001B-2009质量管理体系认证。硅低频大功率晶体管生产线、玻璃钝化封装二极管生产线、硅堆硅桥生产线通过国军标认证。所有民用产品也取得ISO9001:2015质量管理体系认证。检测中心，顺利通过CNAS认证，并具备半导体分立器件检测、筛选（二筛）、例行试验、质量一致性试验的能力。截止目前已有近百个品种进入QPL目录。

公司每年都承担着国家多项重点工程的半导体器件的研制和生产配套任务。部分产品填补国内空白，并多次受到国家有关部门的嘉奖。公司依托“高新二期”、“高新三期”技术改造项目，对生产线设备进行更新，目前生产线水平已达国内先进水平。公司具备从芯片设计、流片、封装、筛选、检测的完整产业链，实现了产品的安全自主可控，以满足广大用户的需求。

公司将按照“重点发展MOS栅器件，巩固提高双极型器件、努力突破宽禁带器件”的产品发展战略，依托与中科院郝跃院士建立的院士工作站的强力技术支持，通过实施对产线的进一步升级改造，大幅提升科研生产能力，实现产品结构的提升，保证功率半导体器件安全、自主、可控，建设国内一流、国际先进的大功率半导体器件科研、生产企业。

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