先导中心即将推出的1200V SiC MOSFET产品SA1M12000020型号,采用自对准短沟道工艺,大幅度降低了器件...
日前,陕西半导体先导技术中心所申报的《1200V等级系列SiC高压大功率器件芯片技术》获得2021西安“好设...
11月18日上午,陕西半导体先导技术中心有限公司中试线通电仪式在西安半导体产业园举行。通电仪式由公司...
按照《中国共产党章程》、《中国共产党基层组织选举工作条例》规定,中共陕西半导体先导技术中心有限公...
随着公司宽禁带半导体业务的逐渐开展,为进一步提升全体员工的业务水平,11月10日下午,陕西半导体先导...
11月3日上午,西安市科技局局长李志军、市科技局成果转化与校地合作处处长解中、市科技局计划财务处副处...
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